к Модифицирование полупроводников пучками протонов. 2003 - Издательство «Наука»

Модифицирование полупроводников пучками протонов. 2003

  • Издательство: СПб.: Наука
  • ISBN: 5-02-024988-2
  • Год: 2003
  • Колич. страниц: 268
  • Тираж: 650
  • Автор: Козловский В.В.

СТОИМОСТЬ: 50 руб.

КУПИТЬ КНИГУ

Описание книги:

В монографии впервые дано систематическое изложение современного состояния исследований модифицирования полупроводников пучками протонов. Вьшолнен анализ общих феноменологических закономерностей взаимодействия легких ионов с монокристаллическими полупроводниками. Проведено концептуальное обобщение результатов фундаментальных исследований, полученных в течение последнего времени по таким основным направлениям радиационного модифицирования полупроводников пучками протонов, как трансмутационное ядерное легирование, радиационно-стимулированная диффузия, легирование радиационными дефектами и формирование наноразмерных пористых слоев. Книга предназначена для научных работников в области физики взаимодействия излучения с веществом и радиационной физики твердого тела, а также для практиков в области электронного материаловедения и технологии полупроводниковых приборов.